產品型號：HYDROGEN-2L/4L/6L

高純CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器產品特點：

1、儀器的全部工作過程均由程序控制，自動恒壓、恒流，通過串聯(lián)控制線，可實現(xiàn)多組并聯(lián)使用。

2、使用固態(tài)電解質（PEM）法產生氫氣，以超純凈水原料，以固體聚合物為電解質，貴金屬做電極有效的除濕裝置，降低了原始濕度，純度穩(wěn)定。

3、操作方便使用時只需打開電源開關即可產氫，使用后無需泄壓，直接關閉電源即可?？蛇B續(xù)使用，也可間斷使用，產氫量穩(wěn)定不衰減。

4、安全可靠：配有安全裝置，電解超純水制氫，無腐蝕、無污染，配有壓力控制，缺水自動監(jiān)控，漏氣自動檢測。

5、配備純水系統(tǒng)，完成自來水進水完成大流量的氫氣制備。

高純CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器技術參數(shù)：

CVD（Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機化學氣相沉積）是半導體制造中的關鍵工藝，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。氫氣作為這兩種技術中的還原劑和載氣，其純度和穩(wěn)定性對最終產品的質量和性能有著至關重要的影響。

在CVD過程中，氫氣通常作為還原性氣體參與反應，幫助形成所需的材料薄膜。例如，在制備二維材料如MOS2、WS2時，氫氣可以還原固態(tài)前驅體，生成目標材料的薄膜。同樣，在PECVD工藝中，氫氣也作為還原性氣體，用于制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等材料。而在ECR-CVD中，氫氣則作為反應氣體，在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜。

MOCVD技術則是一種特殊的CVD技術，主要用于生長復雜化合物薄膜，如半導體材料、光電材料等。在這一過程中，氫氣不僅作為載氣，將金屬有機前驅物輸送到高溫反應區(qū)域，還參與化學反應，幫助金屬有機前驅物分解并釋放金屬原子，這些金屬原子再與載氣中的其他氣體反應，最終在襯底表面形成所需薄膜。例如，在制備光電材料GaN、AlGaN時，氫氣就起到了這樣的作用。

為了確保CVD和MOCVD過程中氫氣的供應穩(wěn)定且純凈，專用的氫氣發(fā)生器應運而生。這些氫氣發(fā)生器能夠產生高達99.999%至99.99999%純度的氫氣，滿足半導體制造領域對高純度氫氣的需求。同時，它們還配備了高精度的流量和壓力調節(jié)系統(tǒng)，確保氫氣的流量和壓力符合工藝要求，從而優(yōu)化薄膜的性能。

此外，考慮到氫氣的易燃性，這些氫氣發(fā)生器還設計了多重安全措施，包括泄漏監(jiān)測、自動關閉系統(tǒng)以及防爆構造等，以確保實驗室和生產環(huán)境的安全。操作過程也相對簡便，配備了直觀的用戶界面和自動化控制系統(tǒng)，大大提升了實驗和生產的效率。